骁龙888翻车的原因或出在三星身上，它的5nm工艺不过关

名为极客湾UP主上传的视频显示，在玩《原神》20分钟之后，小米11的温度达到48°C，而小米10的温度为41°C，对比可以看出小米11的发热高于小米10。​

导致这一结果应该就是骁龙888芯片自身的原因，这次骁龙888的芯片架构作出了重大升级，它采用了一颗X1超大核心+三颗A78核心+四颗A55核心的架构。X1核心为ARM新推出的高性能大核，针对机器学习开发，ARM方面的消息指X1的性能较A77提升30%、机器学习能力则为A77的两倍。X1超大核心的性能提升幅度明显，但是功耗也较高。​

这次骁龙888芯片由三星以5nm工艺生产，三星和台积电都已投产了5nm工艺，一般来说同等工艺下，台积电的表现更优秀一些，早在2015年的时候，三星以14nmFinFET、台积电以16nmFinFET工艺同时生产苹果的A9处理器，结果台积电生产的A9处理器的功耗明显低于三星生产的版本。

此前三星发布的芯片Exynos1080采用自家的5nm工艺生产，Exynos1080采用了四颗A78核心，按ARM的说法四核A78的性能应该比四核A77提升20%左右，然而安兔兔的跑分却显示Exynos1080的跑分与采用四核A77核心的麒麟9000差不多，麒麟9000正是采用了台积电的5nm工艺。​

骁龙888采用了一颗X1核心，按ARM的说法性能可以提升30%，结果是骁龙888只是比麒麟9000高9%左右。这似乎都显示出受限于三星的5nm工艺，采用了A78核心的Exynos1080以及采用X1核心的骁龙888为了控制功耗而不能答复提升性能。

另外高通上一代高端芯片骁龙865plus采用了台积电的7nm工艺生产，性能比上一代的骁龙855提升30%；骁龙888却只比骁龙865plus提升了19%左右，这也似乎证明了台积电的工艺制程更优秀一些。​

当然骁龙888的功耗表现虽然不太理想，但是它还是比当年的骁龙810好太多，不能将骁龙888与当年骁龙810的“火龙”事件对比。

综合上述种种原因，或许可以证明骁龙888的功耗表现不太如意的原因就出在三星的5nm工艺上，后续手机企业和高通对这款芯片的优化或许会降低骁龙888的主频，通过降低性能来降低功耗了。