上篇分享只是简单提了下内存颗粒,其实这其中还是包含很多东西的,什么原片、白片、黑片,什么三星B-Die、特挑B-Die,什么CL16、CL17、CL18等问题,还涉及到简单超频的问题,这篇文章给大家一一解读。
黑片、白片、原片
内存颗粒分为原片、黑片、白片三种,内存颗粒生产过程中会进行两次检测,第一次是行业规定的检测,要求相对来说低;第二次是生产厂商进行的检测,这次检测很严格;首先进行的是行业标准检测,检测合格后进行第二次检测,第二次检测合格会打上颗粒型号和生产厂商的logo进行售卖,这就是原片。第一次检测合格,第二次检测不合格的是白片,不会出现厂商logo,仅会打上颗粒的型号。还有一种就是第一次检测就不合格的就是黑片,一般都是作报废处理。
不同厂商颗粒Die
颗粒作为内存上最重要的原件,选内存就是要选好的颗粒。下面对不同厂商的颗粒根据Die分别介绍如下图:
三星(Samsung)、镁光(Micron)
海力士(Hynix)
内存厂商在生产过程中会频繁地更换内存,同系列产品会出现不同的内存颗粒,想知道自己内存颗粒的,给大家推荐个软件ThaiphoonBurner(台风)去检测下就行了(附图)
内存颗粒识别
内存厂商把体质好的颗粒做成高频内存,例如3000MHz、3200MHz、3600MHz或者更高,把相对差一点的颗粒做成2400MHz、2666MHz内存,内存条上标注的频率是这根内存能工作稳定承受的频率,所以有的购买高频内存的朋友要去主板里边手动调整频率。
颗粒排名
内存颗粒排名
讲颗粒可能有人不太懂,还是结合内存型号更直接一点:
三星特挑B-Die:威刚 龙耀D60G DDR4 3600MHz C14,影驰名人堂 HOF OC DDR4 4600MHz,芝奇焰光戟DDR4 3600MHz C14,影驰HOF EXTREME DDR4 4266MHz,芝奇F4-3200C14D,七彩虹iGame VulcanDDR4 4266MHz,芝奇 RGB 皇家戟 DDR4 4800 C18,幻光戟 3200 C14D,芝奇Trident Z Royal皇家戟DDR4 5000MHz
三星普通B-Die:宇瞻暗黑女神DDR4 3600MHz(部分),影驰名人堂DDR4 3600MHz,影驰名人堂DDR4 4000MHz,威刚 龙耀D60G 4133MHz,七彩虹iGame VulcanDDR4 3600MHz
镁光E-Die C9BJZ:英睿达普条/马甲条--稳定耐用超频能力有限
海力士CJR:金士顿掠食者DDR4-3600MHz,金士顿雷电系列--兼容性强
海力士AFR:皇家戟DDR43000MHzC16,幻光戟DDR43000MHzC16--超频能力提升,体质一般(相较于三星)
海力士MFR:威刚红龙/金龙(部分),金士顿掠食者(部分),海盗船铂金统治者3200MHz/3600MHz(部分)--稳定无超频能力
S降级颗粒:威刚万紫千红、海盗船复仇者
这里补充一个颗粒:台湾的南亚颗粒,多出现在威刚和金士顿内存上,目前有网友测试的其中的A-Die超频能力不俗,超频能力低于海力士的CJR,具体还要看到手的内存颗粒体质。
老司机会在其中看见出现C14代表的是CL14,这就是接下来要介绍的内存时序,大家常见到的是四个数用“-”连接,内存的时序其实就是内存的反应时间,当内存收到CPU发来的指令后,多长时间做出反应,这就是内存的时序。要想反应得越快,时序就要越短。
我们以“CL16-18-18-38”这个时序为例,时序中的四个数字分别对应着“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数
tRCD(RAS to CAS Delay):内存行地址传输到列地址的延迟时间
tRP(RAS Precharge Time):内存行地址选通脉冲预充电时间
tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间
大家只需要知道结论:同频率下时序越短内存性能越好。
关于超频本人涉猎不多,不敢妄言!
版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容, 请发送邮件至 举报,一经查实,本站将立刻删除。